在單晶硅的制備過程中，氧是一種不可避免的輕元素雜質(zhì)，它主要來源于晶體生長過程中石英增鍋的污染。那么氬氣中氧含量高對拉晶有什么影響呢？一般而言，主要是硅片中電化學(xué)性能和少數(shù)載流子壽命會(huì)產(chǎn)生影響。而通過使用工業(yè)氬氣含氧量分析儀就可以分析氬氣中的氧氣濃度含量是否異常，避免氬氣中的氧氣濃度過高影響硅片的品質(zhì)。 氬氣中氧含量高對拉晶的主要影響如下：
1、硅片中電化學(xué)性能降低
氧在單晶硅中主要以氧團(tuán)簇、氧沉淀和與空位結(jié)合的形式存在。這些氧團(tuán)簇和氧沉淀會(huì)引入誘生缺陷，使得硅片的電學(xué)性能受到影響。氧團(tuán)簇和氧沉淀的形成會(huì)導(dǎo)致硅片的電阻率變化，對于N型樣品，氧的存在會(huì)導(dǎo)致電阻率下降；而對于P型樣品，氧的存在會(huì)導(dǎo)致電阻率增加。這些變化會(huì)影響硅片的徑向電阻率的均勻性，使得電阻率熱穩(wěn)定性變差，最終影響到成品率。
2、少數(shù)載流子壽命降低
氧的存在還會(huì)對硅中的少數(shù)載流子壽命產(chǎn)生影響。氧與硅中的載流子相互作用，可能通過與空位結(jié)合形成微缺陷，從而影響載流子的傳輸和壽命。這對于微電子集成電路和功率半導(dǎo)體器件的性能來說，具有重要的影響。
 
國家標(biāo)準(zhǔn)《GB/T 10624-1995 高純氬》中對于高純氬和高純氬中氧含量分別要求如下：
1、合格品
氬純度≥99.999%；氧含量≤2ppm
2、一等品
氬純度≥99.9993%；氧含量≤1ppm
3、優(yōu)等品
氬純度≥99.9996%；氧含量≤1ppm
 
以贏潤集團(tuán)研發(fā)生產(chǎn)的ERUN-QZ9100在線式微量氧含量分析儀為例，可以用來檢測高純氣體或混合氣體中的微量氧氣濃度含量，由于采用的是進(jìn)口原裝高精度長壽命電化學(xué)原理傳感器，可以非常快速準(zhǔn)確地檢測出混合氣體中氧氣的濃度值，誤差小、精度高，反應(yīng)靈敏，性能穩(wěn)定可靠，幾乎免維護(hù)，通電開機(jī)即可自動(dòng)工作，可實(shí)現(xiàn)長期無人化自動(dòng)運(yùn)行。 氬中微量氧分析儀技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品型號：ERUN-QZ9100
檢測氣體：混合氣中微量氧氣
檢測原理：ECD電化學(xué)
量程范圍：0-1000ppm，其他量程范圍可訂制
分 辨 率：0.1ppm
誤差精度：≤±1%F.S.
響應(yīng)時(shí)間：T90≤10秒
數(shù)據(jù)傳輸：4-20 mA模擬信號、RS232/RS485標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字信號
工作溫度：－10℃ ～ ＋50℃
工作濕度：≤90%RH
工作壓力：0.05MPa ～ 0.25MPa
工作電源：220VAC±10%，50Hz±5%；12V，20000 mA超大容量可充放電池
 
以上就是關(guān)于氬氣中氧含量高對拉晶有什么影響的相關(guān)介紹，在單晶硅的制備過程中，控制氬氣中氧的含量是十分關(guān)鍵的，氧的存在會(huì)引入誘生缺陷，導(dǎo)致硅片的電學(xué)性能受到影響，同時(shí)也會(huì)影響硅中的少數(shù)載流子壽命。在單晶硅的制備過程中，通過使用工業(yè)氬氣含氧量分析儀來監(jiān)測并控制氬氣中氧的含量和均勻性來提高材料的質(zhì)量和性能，提升硅片的生產(chǎn)品質(zhì)。